海宁立昂东芯申请GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构专利，解决良率低及成本高问题

金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，海宁立昂东芯微电子有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构”的专利，公开号CN 119767721 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构。本发